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真空镀膜设备—泰科诺

测试参数
·主体结构:基片载入及PT清洗+有机蒸镀+金属蒸镀及封装
·基板尺寸:200 mm ×200 mm,厚度0.5-1.1mm
·有机蒸镀(点源):均匀性误差:≤3%,速率稳定性≤5%
·金属蒸镀(点源):均匀性误差:≤5%,速率稳定性≤5%
·设备极限真空:2×10﹣7torr

基本配置
·ITO基片载入、载出腔体:装载尺寸:200mm ×200mm,厚度:0.5-1.1mm可装载12片基片或MASK
·ITO基片等离子处理腔体:工艺气体:氮气,氧气,氩气,RF电源:频率13.56MHZ
·机械手传输腔体:用于ITO基片在等离子处理,有机蒸镀以及金属蒸镀的腔体间传递。
·有机蒸镀腔体(机械对位):单个腔室最多可装载10个点源,最高加热温度600℃,温度控制精度±1℃,均匀性误差:≤3%,速率稳定性≤5%,MASK与基片对位精度±0.2mm
·有机蒸镀腔体(CCD对位):单个腔室最多可装载10个点源,最高加热温度600℃,温度控制精度±1℃,均匀性误差:≤3%,速率稳定性≤5%,MASK对位精度±5μm
·金属蒸镀腔体:单个腔室最多可装载6个点源,最高加热温度1400℃,温度控制精度±1℃,均匀性误差:≤3%, 速率稳定性≤5%,MASK与基片对位精度±0.2mm
·封装装置:封装过程在手套箱水氧含量小于1ppm的环境中进行,封装过程包含玻璃封装盖板的点胶,玻璃封装盖板与基片之间的压合和UV固化处理

金属蒸镀腔体 / ITO基片等离子处理腔体 / 基片及MASK卡夹